ATP 工控級高效能NVMe 固態硬碟以八傳輸通道PCIe Gen3x4高速介面，端對端資料保護及MCU設計電源管理機制

· 2020年2月13日

台灣台北2020年2月12日 /美通社/ -- 專注於「工業應用」儲存解決方案的領導廠商ATP Electronics (華騰國際科技)發表速度與效能兼具的PCIe介面NVMe嵌入式記憶體。以可靠度與耐久性的高容量TLC 3D NAND快閃記憶體製成、高效能八條傳輸通道控制器及端對端資料保護機制、創新電源保護及電源遺失保護陣列(PLP)技術，新一代M.2 2280 NVMe N600Si/N600Sc 固態硬碟模組為工業應用端記憶體首選。 ATP全球行銷副總Marco Mezger表示：「NVMe與3D NAND快閃記憶體是目前市場上主流趨勢。ATP整合硬體、韌體與記憶體測試能力，提供客戶最高品質的固態硬碟，展現高效能、高可靠度與產品耐久性。回顧兩年前，ATP領先業界首發符合工業溫度M.2 NVMe 固態硬碟，與時俱進持續研發符合工業應用環境需求的儲存裝置。不因嚴酷環境考驗降低記憶體產品可靠度與耐用度，滿足客戶對記憶體需求的最高整體擁有成本(TCO)效益。」產品簡述目前供應容量: 120/240/480/960/1920 GB 連續讀/寫效能: 最高3,420/3,050 MB/秒耐久度: 高達 5,120 TB 提供工規(N600Si)與商規(N600Sc)等級端對端資料保護與支援磁碟陣列(RAID) 八傳輸通道 NAND快閃記憶體效能 ATP M.2 NVMe 2280 系列固態硬碟N600Si/N600Sc 以8 Gb/s Gen3x4 高速介面八通道NAND快閃記憶體同步資料傳輸。搭載PCIe 3.1及NVMe 1.3固態硬碟軟硬體最高規格優勢，滿足不同產業對高效率與高可靠度記憶體需求。完整資料保護由主系統對固態硬碟所有資料傳輸提供端對端資料路徑保護及靜態隨機存取記憶體錯誤校正碼(SPAM ECC)，正確掌握潛在的資料錯誤風險。以微控制器單位電源遺失保護陣列設計硬體提供進一步電源可靠度保護即微控制器設計(MCU)獨立電源控制與電源遺失保護(PLP)機制，一旦電源喪失，電磁波干擾或電流錯誤狀況發生時，ATP第四代電源保護與PowerProtector 4增強記憶體保護與資料完整性。 ATP PowerProtector 4 同步進化硬體與韌體以保護資料與儲存裝置，如減少電源開啟時湧浪電流及預防輸入電壓過高。為確保資料完整，消除輸入電源雜訊干擾，避免錯誤訊息造成不正確抹除快取記憶體，如主機端輸入電壓造成雜訊或不穩定情況。新一代微控制設計可依照客戶需求客製化電源遺失保護選項，以符合應用端與市場使用需求。內建低密度奇偶檢查(LDPC)及磁碟陣列引擎(RAID Engine)技術 ATP M.2 NVMe…

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